射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):150MHz,直流电流增益(hFE):600,耗散功率(Pd):200mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V@100mA,5mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):0.1A
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 150MHz | |
直流电流增益(hFE) | 600 | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V@100mA,5mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 0.1A |