射基极击穿电压(Vebo):5V,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):1100MHz,直流电流增益(hFE):198@1.0mA,5.0V,耗散功率(Pd):310mW,集射极击穿电压(Vceo):15V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@10mA,1.0mA,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):50mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 1100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 198@1.0mA,5.0V | |
耗散功率(Pd) | 310mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@10mA,1.0mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 50mA |