反向传输电容(Crss):386pF@10V,导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):58W,输入电容(Ciss):2500pF@10V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 输入电容(Ciss) | 2500pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |