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IPD082N10N3G-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- IPD082N10N3G-VB
- 商品编号
- C7463537
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000381千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):205pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):160nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):4000pF@25V,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 4000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.852/个 |
| 10+ | ¥4.769/个 |
| 30+ | ¥4.228/个 |
| 100+ | ¥3.686/个 |
| 500+ | ¥3.0875/个 |
| 1000+ | ¥2.926/个 |
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