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CMD90N03S
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMD90N03S
- 商品编号
- C7470621
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000382千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):55pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,28A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):2000pF@25V,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,28A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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