反向传输电容(Crss):80pF,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):44W,输入电容(Ciss):690pF,输出电容(Coss):325pF,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 输出电容(Coss) | 325pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |