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SPD15P10PL G-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SPD15P10PL G-VB
- 商品编号
- C7524903
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.0004千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):41pF,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.12Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):23.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):32.1W,输入电容(Ciss):1055pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.12Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1055pF | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.655/个 |
| 10+ | ¥3.753/个 |
| 30+ | ¥3.297/个 |
| 100+ | ¥2.85/个 |
| 500+ | ¥2.575/个 |
| 1000+ | ¥2.442/个 |
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