温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC070N10NS3G-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- BSC070N10NS3G-HXY
- 商品编号
- C7543026
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000128千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):9.2mΩ,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39.4nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):97W,输入电容(Ciss):2046pF,输出电容(Coss):865pF,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 输入电容(Ciss) | 2046pF | |
| 输出电容(Coss) | 865pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.828 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车