反向传输电容(Crss):50pF@30V,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):5200pF@30V,连续漏极电流(Id):72A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 5200pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.82/个 |
| 10+ | ¥4.7/个 |
| 30+ | ¥4.14/个 |
| 100+ | ¥3.58/个 |
| 500+ | ¥3.12/个 |
| 1000+ | ¥2.95/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.756
3000 PCS/盘
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