导通电阻(RDS(on)):150mΩ@10V,25A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):50W,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,25A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.17/个 |
50+ | ¥1.713/个 |
150+ | ¥1.517/个 |
500+ | ¥1.273/个 |
2500+ | ¥1.157/个 |
5000+ | ¥1.0915/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.06444
2500 PCS/盘
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