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FCP650N80Z
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FCP650N80Z
- 商品编号
- C898526
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00268千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):0.84pF@100V,导通电阻(RDS(on)):530mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):162W,输入电容(Ciss):1.178nF@100V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V,4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 162W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.178nF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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