反向传输电容(Crss):15pF@16V,导通电阻(RDS(on)):380mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):120pF@16V,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |