反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,0.15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.77nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):43pF,输出电容(Coss):2.9pF,连续漏极电流(Id):0.17A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,0.15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.77nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 输出电容(Coss) | 2.9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.194/个 |
| 200+ | ¥0.158/个 |
| 600+ | ¥0.139/个 |
| 3000+ | ¥0.102/个 |
| 9000+ | ¥0.0915/个 |
| 21000+ | ¥0.0859/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09384
3000 PCS/盘
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