反向传输电容(Crss):29pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):160nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):330W,输入电容(Ciss):3550pF,连续漏极电流(Id):60A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 29pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 330W | |
输入电容(Ciss) | 3550pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥31.08/个 |
10+ | ¥26.66/个 |
30+ | ¥22.89/个 |
90+ | ¥20.23/个 |
510+ | ¥19.01/个 |
1020+ | ¥18.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.0588
30 PCS/盘
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