温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
GC3M0021120K
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0021120K
- 商品编号
- C7435052
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.00898千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ,导通电阻(RDS(on)):21mΩ,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):162nC,栅极电荷量(Qg):162nC,栅极电荷量(Qg):162nC,漏源电压(Vdss):1200V,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):469W,耗散功率(Pd):469W,输入电容(Ciss):4818pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):100A,连续漏极电流(Id):100A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 输入电容(Ciss) | 4818pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥81.41/个 |
| 10+ | ¥74.1/个 |
| 30+ | ¥67.37/个 |
| 90+ | ¥61.5/个 |
| 92+ | ¥61.5/个 |
| 94+ | ¥61.5/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥61.9804
30 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉161.688元
库存总量
5 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车