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CS4N60A3HD
扩展库- 品牌名称
- 华润华晶
- 厂家型号
- CS4N60A3HD
- 商品编号
- C115517
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 商品毛重
- 0.0006千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):8.5pF,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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