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TSM4NB65CH C5G
扩展库- 品牌名称
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- 厂家型号
- TSM4NB65CH C5G
- 商品编号
- C7365483
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 商品毛重
- 0.000677千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):3.37Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,栅极电荷量(Qg):13.46nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):549pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.37Ω@10V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.46nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输入电容(Ciss) | 549pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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