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TSM340N06CH X0G
扩展库- 品牌名称
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- 厂家型号
- TSM340N06CH X0G
- 商品编号
- C3281200
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 商品毛重
- 0.000677千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):16.6nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):66W,输入电容(Ciss):1180pF@30V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 输入电容(Ciss) | 1180pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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