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TSM2NB60CH
扩展库- 品牌名称
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- 厂家型号
- TSM2NB60CH
- 商品编号
- C19856095
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 商品毛重
- 0.000677千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):4.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):9.9nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,连续漏极电流(Id):2.3A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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