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TSM3N80CH C5G
扩展库- 品牌名称
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
- 厂家型号
- TSM3N80CH C5G
- 商品编号
- C3281199
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 商品毛重
- 0.000677千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10.2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):4.2Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):94W,输入电容(Ciss):696pF@25V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.2pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 输入电容(Ciss) | 696pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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