温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18563Q5AT
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD18563Q5AT
- 商品编号
- C140227
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000372千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):10.8mΩ@4.5V,18A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):116W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@4.5V,18A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
8.63 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车