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FDN359BN

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品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
FDN359BN
商品编号
C128794
商品封装
SOT-23
商品毛重
0.00003千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):0.06Ω@4.5V,2.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):650pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):2.7A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)100pF
导通电阻(RDS(on))0.06Ω@4.5V,2.4A
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)7nC@5V
漏源电压(Vdss)30V
类型N沟道
耗散功率(Pd)0.5W
输入电容(Ciss)650pF
输出电容(Coss)140pF
连续漏极电流(Id)2.7A
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA

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