反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.417W,输入电容(Ciss):45pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):0.47A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.417W | |
输入电容(Ciss) | 45pF | |
输出电容(Coss) | 20pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.47A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |