温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM50P03-07_GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQM50P03-07_GE3
- 商品编号
- C142584
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.002千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):850pF,导通电阻(RDS(on)):0.011Ω@4.5V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):155nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):5380pF,输出电容(Coss):955pF,连续漏极电流(Id):50A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.011Ω@4.5V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 155nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 5380pF | |
| 输出电容(Coss) | 955pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
13.86 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车