反向传输电容(Crss):675pF,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,30A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):123W,输入电容(Ciss):6010pF,输出电容(Coss):1400pF,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 675pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 123W | |
| 输入电容(Ciss) | 6010pF | |
| 输出电容(Coss) | 1400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.32/个 |
| 10+ | ¥3.25/个 |
| 30+ | ¥3.2/个 |
| 100+ | ¥3.16/个 |
| 102+ | ¥3.16/个 |
| 104+ | ¥3.16/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.9072
800 PCS/盘
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