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IPB200N15N3 G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB200N15N3 G
- 商品编号
- C152433
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.002028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):31nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1820pF,输出电容(Coss):214pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V@90uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1820pF | |
| 输出电容(Coss) | 214pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@90uA |
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