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2DB1182Q-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- 2DB1182Q-13
- 商品编号
- C176911
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000502千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):110MHz,直流电流增益(hFE):120@0.5A,3V,耗散功率(Pd):1.2W,集射极击穿电压(Vceo):32V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.8V@2A,0.2A,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):2A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 120@0.5A,3V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.8V@2A,0.2A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
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