射基极击穿电压(Vebo):7V,晶体管类型:PNP,直流电流增益(hFE):400@0.6A,2V,耗散功率(Pd):10W,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V@1.5A,0.15A,集电极截止电流(Icbo):10uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
晶体管类型 | PNP | |
直流电流增益(hFE) | 400@0.6A,2V | |
耗散功率(Pd) | 10W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V@1.5A,0.15A | |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |