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MJD42CT4G(MS)
扩展库- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 厂家型号
- MJD42CT4G(MS)
- 商品编号
- C22365378
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000428千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):3MHz,直流电流增益(hFE):75@3A,4V,耗散功率(Pd):1.25W,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V@6A,0.6A,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):6A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 3MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 75@3A,4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@6A,0.6A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集电极电流(Ic) | 6A |
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