射基极击穿电压(Vebo):9V,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,直流电流增益(hFE):32@2A,5V,耗散功率(Pd):35W,配置:半桥,集射极击穿电压(Vceo):400V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V@4A,1A,集电极截止电流(Icbo):100uA,集电极电流(Ic):4A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 9V | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
直流电流增益(hFE) | 32@2A,5V | |
耗散功率(Pd) | 35W | |
配置 | 半桥 | |
集射极击穿电压(Vceo) | 400V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@4A,1A | |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
集电极电流(Ic) | 4A |