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AGMH022P10H
扩展库- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 厂家型号
- AGMH022P10H
- 商品编号
- C17701048
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001699千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):58pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):52.1nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):4276pF,输出电容(Coss):402pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | 4276pF | |
| 输出电容(Coss) | 402pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.35/个 |
| 10+ | ¥4.27/个 |
| 30+ | ¥3.73/个 |
| 100+ | ¥3.19/个 |
| 500+ | ¥2.82/个 |
| 800+ | ¥2.65/个 |
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