反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,30A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):72nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):2840pF,输出电容(Coss):300pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 140pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,30A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 2840pF | |
输出电容(Coss) | 300pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |