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NTR3162PT1G-JSM
扩展库- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 厂家型号
- NTR3162PT1G-JSM
- 商品编号
- C18194069
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000057千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):102pF,导通电阻(RDS(on)):65mΩ@2.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):672pF,输出电容(Coss):280pF,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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