温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2333CDS-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- SI2333CDS-HXY
- 商品编号
- C18198389
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000043千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):18V,类型:-,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):980pF,输出电容(Coss):450pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.346/个 |
| 50+ | ¥0.274/个 |
| 150+ | ¥0.238/个 |
| 500+ | ¥0.211/个 |
| 3000+ | ¥0.189/个 |
| 6000+ | ¥0.178/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.189
3000 PCS/盘
送
换料费券¥300
库存总量
5240 PCS电话
顶部
元器件购物车