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IRL3803S
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- IRL3803S
- 商品编号
- C18198755
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001644千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):580pF,导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ@10V,工作温度:-65℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):85nC,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):210W,输入电容(Ciss):6200pF,输出电容(Coss):680pF,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 输入电容(Ciss) | 6200pF | |
| 输出电容(Coss) | 680pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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