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ASB65R220E
扩展库- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 厂家型号
- ASB65R220E
- 商品编号
- C18199767
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5.28pF,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,7A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):32.23nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):126W,输入电容(Ciss):1547pF,输出电容(Coss):134pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 126W | |
| 输入电容(Ciss) | 1547pF | |
| 输出电容(Coss) | 134pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.16/个 |
| 10+ | ¥5.92/个 |
| 30+ | ¥5.24/个 |
| 100+ | ¥4.47/个 |
| 500+ | ¥4.13/个 |
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