反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@4V,50A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):280nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):90W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):1000pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4V,50A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 280nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | 1000pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@1mA |