反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):65mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):75nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1100pF,输出电容(Coss):56pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1100pF | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥24.178/个 |
| 10+ | ¥20.644/个 |
| 30+ | ¥17.756/个 |
| 90+ | ¥15.628/个 |
| 510+ | ¥14.649/个 |
| 1020+ | ¥14.212/个 |
整盘
单价
整盘单价¥16.33552
30 PCS/盘
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