反向传输电容(Crss):7.5pF,导通电阻(RDS(on)):13.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:-,耗散功率(Pd):139W,输入电容(Ciss):1603pF,输出电容(Coss):196pF,连续漏极电流(Id):61A,阈值电压(Vgs(th)):3.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 输入电容(Ciss) | 1603pF | |
| 输出电容(Coss) | 196pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.616/个 |
| 10+ | ¥4.644/个 |
| 50+ | ¥4.113/个 |
| 100+ | ¥3.51/个 |
| 500+ | ¥3.24/个 |
| 1000+ | ¥3.123/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.78396
50 PCS/盘
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