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SE60210G
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE60210G
- 商品编号
- C19631221
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.00184千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):63pF,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):7070pF,输出电容(Coss):2140pF,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 7070pF | |
| 输出电容(Coss) | 2140pF | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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