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G040P02T
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G040P02T
- 商品编号
- C19673836
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002833千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):134nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.196/个 |
| 50+ | ¥1.658/个 |
| 150+ | ¥1.464/个 |
| 500+ | ¥1.221/个 |
| 2000+ | ¥1.113/个 |
| 5000+ | ¥1.0485/个 |
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