反向传输电容(Crss):75pF,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):-,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):510pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |