反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):400pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 100pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 140W | |
输入电容(Ciss) | 750pF | |
输出电容(Coss) | 400pF | |
连续漏极电流(Id) | 55A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |