反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):750pF,输出电容(Coss):400pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.85/个 |
| 50+ | ¥1.453/个 |
| 150+ | ¥1.283/个 |
| 500+ | ¥1.0701/个 |
| 2000+ | ¥0.975/个 |
| 5000+ | ¥0.919/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.33676
50 PCS/盘
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