导通电阻(RDS(on)):250mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):54nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):35.5W,输入电容(Ciss):2590pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2590pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.184/个 |
| 10+ | ¥5.076/个 |
| 50+ | ¥4.761/个 |
| 100+ | ¥4.68/个 |
| 102+ | ¥4.68/个 |
| 104+ | ¥4.68/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.761
50 PCS/盘