导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):110V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):180W,连续漏极电流(Id):35A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 110V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 180W | |
连续漏极电流(Id) | 35A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.92/个 |
10+ | ¥3.97/个 |
50+ | ¥3.38/个 |
100+ | ¥2.91/个 |
500+ | ¥2.63/个 |
1000+ | ¥2.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.1096
50 PCS/盘
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