反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):3.8Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):600V,类型:-,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):400pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V@135uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 38W | |
输入电容(Ciss) | 400pF | |
输出电容(Coss) | 150pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@135uA |