反向传输电容(Crss):275pF,导通电阻(RDS(on)):0.021Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):200nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):22W,输入电容(Ciss):3400pF,输出电容(Coss):450pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 275pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.021Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 22W | |
输入电容(Ciss) | 3400pF | |
输出电容(Coss) | 450pF | |
连续漏极电流(Id) | 36A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.01/个 |
10+ | ¥4.06/个 |
30+ | ¥3.58/个 |
100+ | ¥3.11/个 |
500+ | ¥2.71/个 |
1000+ | ¥2.57/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.3644
5000 PCS/盘
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