反向传输电容(Crss):158pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.57W,输入电容(Ciss):2000pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 158pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 3.57W | |
输入电容(Ciss) | 2000pF | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.136/个 |
50+ | ¥1.705/个 |
150+ | ¥1.52/个 |
500+ | ¥1.29/个 |
2500+ | ¥1.145/个 |
5000+ | ¥1.0831/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.99645
5000 PCS/盘
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