反向传输电容(Crss):185pF@20V,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):1760pF@20V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 185pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,10A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 35W | |
输入电容(Ciss) | 1760pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.43/个 |
10+ | ¥2.75/个 |
30+ | ¥2.41/个 |
100+ | ¥2.08/个 |
500+ | ¥1.78/个 |
1000+ | ¥1.67/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.669
5000 PCS/盘
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