反向传输电容(Crss):322pF@15V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):2000pF@15V,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 322pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 52W | |
输入电容(Ciss) | 2000pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 45A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |